分析IBM は 3 ビットの相変化メモリ チップを実演しましたが、IBM チューリッヒの研究者である Haris Pozidis 博士が YouTube ビデオでそれについて説明しており、3D XPoint については一度も触れていません。
そのアイデアは、PCM チップの比較的高いコストを、セルあたり 1 ビットではなく 3 ビットの TLC またはトリプル レベル セルにすることで相殺するというものです。賢いアイデアです。
このIBM TLC PCMは、メモリ・ストレージ階層において、レイテンシで定義されるIntel/Micronの3D Pointとほぼ同等の領域を占めます。フラッシュメモリよりもはるかに高速で、IBMは70倍の速度を誇っていますが、DRAMほど高速ではなく、1マイクロ秒の読み取りレイテンシです。DRAMのレイテンシは通常0.1マイクロ秒（100ナノ秒）程度です。
この PCM を、XPoint に使用したレイテンシ テーブルに挿入できます。
XPointのプレゼンテーションとは異なり、IBMは耐久性に関する数値を示しており、少なくとも100万回の書き込みサイクルに耐えられるとしています。これは、TLCフラッシュメモリの3,000回という数値をはるかに上回っています。この物質はビットを異なる抵抗値として保存し、保存する3ビットの値には8つの抵抗値が必要です。XPointは、抵抗値の変化に追従しながらデータを読み取れるアルゴリズムと信号処理技術を考案することで、抵抗値の変化を克服しました。
IBMは以前、PCMセルの周囲に、より安定した材料のパイプを配置し、PCMセルの抵抗状態をパイプ内に投影・保持することで、抵抗状態ドリフトの問題に取り組んできました。このTLCドリフト追跡法は、より優れた手法です。
このチップは、XPoint などのメモリ内コンピューティングや、モバイル フォンのオペレーティング システムのブート リソースとしての使用が推奨されています。
総じて言えば、これはストレージクラスメモリ技術の説得力のあるデモンストレーションであり、製品化の可能性を秘めていると言えるでしょう。ただし、IBMにはPCM用のチップ製造能力も製造パートナーもいません。可能性はどこにあるのでしょうか？
SanDiskはHPEとの提携により、抵抗変化型RAM（ReRAM）の取り組みを進めています。しかし、SanDiskはWDCに買収されたばかりです。同社のHGST部門は、2014年8月に1.5マイクロ秒の読み取りレイテンシで300万IOPSのPCMチップを実証しました。
間違いなく、TLC の可能性を検討するとともに、SanDisk の ReRAM 研究を評価することになるでしょう。
東芝はサンディスクのReRAM技術に精通していると推測される。両社はフラッシュファウンドリのパートナー企業であるからだ。しかし、会計処理の混乱で財務的に弱体化した東芝が、IBMのPCM製造に参入し、X86サーバー市場でインテルやマイクロンのXPointと争うかどうかは別の問題だ。一方で、東芝がDRAMとNANDのレイテンシギャップを埋めるチップの確保が必要と判断し、IBMのPCMを候補に挙げる可能性もある。
NAND製造の巨人であるサムスンも、おそらく同じギャップを目の当たりにし、どのように埋めるかを模索しているだろう。サムスンと東芝はSTT-RAMを検討したが、期待は持てない。XPointチップが12～18ヶ月以内に製品化される予定であることを考えると、サムスンには何か対策が必要だ。
IBMのもう一つのファウンドリパートナー候補であるSK Hynixについても同様です。HPEのメモリスタ技術は、実用化までまだ2～3年かかる見込みで、少なくとも一般的なX86サーバー市場では、XPointがいずれにせよHPEの技術を駆逐する可能性もあります。
IBMはSK Hynix、Samsung、東芝のドアを叩いて、XPointへの対応と2～3年の製品化期間を謳い文句にできるかもしれない。少なくとも耳を傾けてもらうべきだ。
Big Blueは、Coherent Accelerator Processor Interface（CAPI）を使用してPCMチップをPOWERサーバーに接続するというアイデアを実証しました。これにより、POWERサーバーはストレージクラスのメモリを搭載し、XPointアクセラレーションを搭載したX86サーバーと競合できるようになります。
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