サムスンは、Flashbolt と呼ばれる新世代の高帯域幅 DRAM チップを発表しました。
これらは、韓国の財閥系企業が開発した最新型の高帯域幅メモリ（HBM2E）モデルをベースにした初のチップであり、同社がこれまでに製造した中で最速のチップです。サムスンは、Flashboltは前世代のHBM2システムよりも33%高速であると主張していますが、この新技術がいつ市場に投入されるかについては現時点で情報がありません。
HBMシリコンは、DDR4やDDR5などの主流のメモリフォーマットで使用されるチップとは異なるため、Flashboltはサーバーアップグレードとしては提供されません。サムスンは、HBMがGPU、スーパーコンピューター、人工知能トレーニング用デバイスで使用されることを期待しています。
この名前は、Samsung の以前のメモリ製品である Aquabolt および Flarebolt と同じ慣例に従っていますが、根本的に異なるアーキテクチャを採用しています。HBM2E はダイあたり 16Gb に対応でき、これは Aquabolt で使用されている HBM2 の 2 倍であり、ピンあたり 3.2Gbps の転送速度を提供します。
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つまり、Samsung HBM2E パッケージ 1 つで 410GB/秒 (そうです、ギガバイトです。これはタイプミスではありません) の帯域幅と 16GB の容量を提供できることになります。
「Flashboltの業界をリードするパフォーマンスにより、次世代データセンター、人工知能、機械学習、グラフィックスアプリケーション向けの強化されたソリューションが可能になります」とサムスンのメモリ製品計画およびアプリケーションエンジニアリング担当シニアバイスプレジデント、ジンマン・ハン氏は述べています。
当社はプレミアムDRAMの提供を拡大し、市場の需要に応えるために「高性能、大容量、低消費電力」のメモリセグメントを改善し続けます。
世界が HBM を必要とする理由を知るには、Chris Mellor の詳細な分析をご覧ください。®
